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    WZP2-321裝配式熱電阻上海自動(dòng)化儀表三廠

    更新時(shí)間:2024-03-02

    簡(jiǎn)要描述:

    WZP2-321裝配式熱電阻上海自動(dòng)化作為測(cè)量溫度的傳感器,通常和顯示儀表、記錄儀表和電子調(diào)節(jié)器配套使用。它可以直接測(cè)量各種生產(chǎn)過(guò)程中從-200℃~420℃范圍內(nèi)的液體、蒸汽和氣體介質(zhì)以及固體的表面溫度。儀表三廠

    WZP2-321裝配式熱電阻上海自動(dòng)化儀表三廠

    根據(jù)國(guó)家規(guī)定,我廠從1987年起開(kāi)始生產(chǎn)符合IEC標(biāo)準(zhǔn)分度號(hào)的Pt100鉑熱電阻合符合專(zhuān)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)分度號(hào)的Cu50銅熱電阻兩大類(lèi)裝配式、統(tǒng)一設(shè)計(jì)型電阻,應(yīng)符合JB/T8622-1997及JB/T8623-1997標(biāo)準(zhǔn).

    WZP2-321裝配式熱電阻上海自動(dòng)化儀表三廠主要技術(shù)指標(biāo):

    測(cè)溫范圍和準(zhǔn)確度

    熱電阻類(lèi)別

    測(cè)量范圍

    分度號(hào)

    允許偏差t 

    WZP型鉑電阻

    -200~420

    Pt100

    B級(jí) 允差±(0.3或+0.005︱t︱)

    A級(jí) 允差±(0.15或+0.002︱t︱)

    WZC型銅電阻

    -150~100

    Cu50

    -50~100℃ 允差±(0.30+6.0×10-3t)

    注:式中“t"為感溫元件的實(shí)測(cè)溫度值。

     

    型號(hào)表示:

    W

    Z

    規(guī)格

    內(nèi)容

     

     

    P

     

    鉑電阻

    C

     

    銅電阻

    熱電阻材料

    -

     

    無(wú)固定裝置式

     

    固定螺紋式

     

    活動(dòng)式法蘭

     

    固定法蘭式

     

    固定螺紋錐形保護(hù)管式

    2

     

    防濺式

    3

     

    防水式

     

     

    非統(tǒng)設(shè):插座式,小接線盒式等

    接線盒形式

    0

    Φ16mm保護(hù)管

    1

    Φ12mm保護(hù)管

     

    非統(tǒng)設(shè):各種規(guī)格保護(hù)管

    設(shè)

    計(jì)

    號(hào)

     

    W

    Z

    -

     

    熱電阻感溫元件100時(shí)的電阻值(R100)和它在0時(shí)的電阻值R0的比值:(R100/ R0

    分度號(hào)Pt100: A 級(jí) R0=100±0.06Ω

           B級(jí) R0=100±0.12Ω

    分度號(hào)Cu50: R0=50±0.05Ω

    熱響應(yīng)時(shí)間

    在溫度出現(xiàn)階躍變化時(shí),熱電阻的輸出變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%所需要的時(shí)間稱為熱響應(yīng)時(shí)間用T0.5表示。

    熱電阻公稱壓力

    一般指在該工作溫度下保護(hù)管所能承受的外壓(靜壓)耐不破裂。允許公稱壓力不僅與保護(hù)管材料、直徑、壁厚有關(guān),還與其結(jié)構(gòu)形式、安裝方法、置放深度以及被測(cè)介質(zhì)的流速和種類(lèi)有關(guān)。

    熱電阻zui小置入深度

    ︱min=︱+15D

    ︱min-zui小可用置入深度

    -感溫元件長(zhǎng)度

    D-保護(hù)管外徑

    自然影響

    通過(guò)熱電阻中測(cè)量電流5mA時(shí),測(cè)得的電阻增量換算成溫度值應(yīng)不大于0.30℃。

    絕緣電阻

    常溫絕緣電阻的試驗(yàn)電壓可取直流10~100V任意值,環(huán)境溫度在15~35℃范圍內(nèi),相對(duì)濕度應(yīng)不大于80%。常溫絕緣電阻值應(yīng)不小于100MΩ

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